芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。

芯能推出的IGBT模块采用沟槽结构的场截止技术（Trench Field Stop），沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度，通过超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集电极端使用电场截止型（Field Stop）结构，从而显著降低器件的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff），对比上一代产品，器件功率损耗（导通损耗与开关损耗之和）降低了33%，配合搭载独立的等电压快速恢复二极管（FRD），适宜于各类开关应用。 模块采用标准封装，产品在严酷的环境下具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。

HVIC将600V耐压元件与30V耐压元件集成在一个芯片上，用于驱动半桥或全桥结构的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驱动电路和电源欠压保护电路、信号互锁电路、 过流保护电路等内置在芯片中，实现了无需光耦而直接由微处理器 等逻辑电路进行驱动和控制。