芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。

IPM将功率器件连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内，进行过完美的匹配，使系统设计者从繁琐的驱动和保护电路设计中解脱出来，同时提高了系统的可靠性。 公司现有产品包括：IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封装形式有：DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。

HVIC将600V耐压元件与30V耐压元件集成在一个芯片上，用于驱动半桥或全桥结构的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驱动电路和电源欠压保护电路、信号互锁电路、 过流保护电路等内置在芯片中，实现了无需光耦而直接由微处理器 等逻辑电路进行驱动和控制。