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IGBT模块
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产品特点
低饱和导通压降(Vce(sat));
低开关损耗(Ets);
高击穿电压(BVces);
高短路电流耐量(Icsc);
电参数重复性与一致性;
高可靠性。
产品说明
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IGBT单管
芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术(Trench + FS),合理优化了器件电流密度 ,获得了最佳的饱和导通压降(Vce(sat))和关断损耗(Eoff)平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余,电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。
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IPM
IPM将功率器件连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内,进行过完美的匹配,使系统设计者从繁琐的驱动和保护电路设计中解脱出来,同时提高了系统的可靠性。 公司现有产品包括:IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封装形式有:DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。
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驱动IC
HVIC将600V耐压元件与30V耐压元件集成在一个芯片上,用于驱动半桥或全桥结构的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驱动电路和电源欠压保护电路、信号互锁电路、 过流保护电路等内置在芯片中,实现了无需光耦而直接由微处理器 等逻辑电路进行驱动和控制。
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